이 기사는 2025년 02월 26일 10시12분 thebell에 표출된 기사입니다

미국 마이크론이 10nm급 6세대(1c, 1γ) D램 샘플을 고객사에 공급했다. SK하이닉스에 이은 두 번째 공급 사례다. SK하이닉스는 지난달 1c D램 내부 양산 인증을 마치고 올해 내 본격적인 양산에 들어간다는 계획이다.

반면 삼성전자의 1c D램 개발은 다소 늦어지고 있는 상황이다. 삼성전자는 올해 상반기 내 샘플 공급을 목표로 1c D램 개발을 진행 중인 것으로 알려졌다.

◇마이크론 1γ D램 개발, 인텔·AMD 샘플 공급

마이크론은 25일(현지시간) DDR5 형태의 1γ(감마) D램 샘플을 인텔, AMD 등 잠재 고객사에 공급했다고 밝혔다. 1γ는 마이크론의 D램 세대 명명법이다. 삼성전자나 SK하이닉스에선 1c D램이라고 부른다. 마이크론은 10nm급 4세대(1a) D램을 1α D램으로, 10nm급 5세대(1b) D램을 1β D램으로 명명했다.

1γ D램은 올해 말부터 상용화될 것으로 예상되는 차세대 D램이다. 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 지원한다. 이전 세대 16Gb DDR5와 비교해 속도는 최대 15% 증가했으며, 전력 소모량은 20% 이상 감소했다.


마이크론은 1γ D램에 신기술도 대거 적용했다. 극자외선(EUV) 공정과 차세대 하이케이 메탈게이트(HKMG) 등이 대표적이다. 마이크론은 1β D램까지 심자외선(DUV) 노광 장비를 이용한 멀티 패터닝을 통해 노광 공정을 진행했다.

반면 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 10nm급 3세대(1z) D램, 10nm급 4세대(1a) D램부터 EUV 장비를 활용해왔다. 1γ D램에도 하나의 레이어에만 EUV 공정을 적용하는 것으로 파악됐다. 삼성전자(5~7개)와 SK하이닉스(5개)에 비해 낮은 수치다. 다만 삼성전자도 최근 1c D램에서 EUV 레이어를 줄이는 방안을 추진 중이다.

소재 업계 고위 관계자는 "EUV 공정은 장비뿐 아니라 소재도 DUV 공정 대비 가격이 높다"며 "EUV 레이어를 최대한 줄이는 것이 원가 경쟁력을 높이는데 유리하다"고 말했다. 이어 "마이크론의 경우 그동안 EUV 공정을 최대한 활용하지 않는 방안으로 기술 개발을 진행해왔으나 1γ D램부터 기술적 한계에 도달했다"며 "이에 1γ D램부터 EUV 공정을 도입한 것"이라고 부연했다

◇SK하이닉스 1c D램 '양산 인증' 완료, 고객사 샘플 공급도 진행

SK하이닉스는 지난달 1c D램 양산 인증을 완료한 것으로 전해진다. 다만 1c D램 양산에 대해서는 심사숙고하고 있는 것으로 알려졌다. 뚜렷한 고객사 수요가 없어서다. SK하이닉스는 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4 코어 다이로 1b D램을 활용한다.

반도체 장비 업계에서는 SK하이닉스가 올해 4분기께 1c D램 본격 양산을 진행할 것으로 추정하고 있다. 복수의 잠재 고객사에게 샘플 공급도 진행했다. 구체적인 고객사명은 확인되지 않았지만 인텔, AMD 등 기업일 것으로 추정된다.

반면 삼성전자는 경쟁사에 비해 1c D램 개발이 다소 늦은 상황이다. 올해 내 고대역폭메모리(HBM)4 양산을 위해서는 늦어도 3분기 내 1c D램 개발을 완료해야 한다. 삼성전자는 지난달 열린 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "1c D램 기반 고대역폭메모리(HBM)4는 2025년 하반기 양산을 목표로 기존 계획대로 개발을 진행하고 있다"고 밝힌 바 있다.