이 기사는 2024년 11월 27일 17:04 thebell 에 표출된 기사입니다.

남석우 삼성전자 파운드리사업부 신임 최고기술책임자(CTO)는 삼성전자 파운드리 사업 기술력 재건이라는 중책을 맡게 됐다. 1년여간 파운드리 CTO 자리가 공석이었던 만큼 극복해야할 난제들이 산제해 있다.

삼성전자 파운드리사업부는 최근 3nm 공정 안정화와 2nm 공정 개발에 어려움을 겪고 있다. 이로 인해 애플리케이션프로세서(AP) 엑시노스 2500 양산도 늦어지고 있는 상황이다.

삼성전자는 27일 2025년 정기 사장단 인사를 통해 파운드리사업부 사장급 CTO 보직을 신설하고 남석우 삼성전자 DS부문 글로벌제조&인프라총괄 제조&기술담당 부사장(사진)을 DS부문 파운드리사업부 CTO 사장으로 승진시켰다고 밝혔다.


삼성전자 파운드리 CTO는 지난해 4분기부터 공석인 상태였다. 앞서 3분기 파운드리 CTO가 윤종식 부사장에서 정기태 부사장으로 변경됐으나 이후 1분기 만에 그의 보직이 파운드리 담당임원으로 바뀌었다. 이후 후속 인사는 없었다. 분기보고서, 사업보고서 등을 살펴봐도 지난해 4분기 이후 파운드리 CTO는 공석이다.

사업부 기술 개발의 전반을 담당하는 CTO 공석이 삼성전자 파운드리사업부의 기술개발 난항 배경이었을 수도 있다. 2nm 이하 선단 공정 기술 개발부터 실리콘 포토닉스, BSPDN 기술 개발이 TSMC, 인텔 등 경쟁사 대비 늦었다는 지적이 끊임없이 있었다. 인공지능(AI) 반도체 성능을 대폭 높일 수 있는 기술들이다.

실리콘 포토닉스는 광섬유를 이용해 데이터를 전송하는 솔루션이다. 구리 등 금속으로 만들어진 전선에 비해 데이터 전송 속도를 극대화할 수 있다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술이다. 전력·성능·면적(PPA) 개선 효과뿐 아니라 전압강하 현상도 대폭 줄일 수 있다.

삼성전자는 오는 2027년부터 실리콘 포토닉스 기술을 양산 공정에 도입한다는 계획을 세워두고 있다. 2.xD 패키지에 코-패키지옵틱스(CPO)를 실장하는 형태다. 또 BSPDN을 적용한 2nm 공정(SF2Z)도 2027년까지 준비할 계획이다. 경쟁사인 인텔보다 다소 늦은 로드맵이다.

이런 가운데 파운드리사업부 CTO에 사장급 인사를 배치한 배경에는 반도체 기술의 세분화·고도화 등에 대한 고려가 있는 것으로 보인다. 파운드리 선단 공정 영역에서는 게이트올어라운드(GAA) 구조 외에도 FSFET, CFET 등 차세대 트랜지스터 구조 연구가 시급하다는 지적이 나온다. FSFET과 CFET은 1nm 이하 반도체 양산에 적용될 것으로 전망되는 트랜지스터 구조다.

삼성전자는 남 CTO 선임 배경에 대해 "반도체 공정 전문성과 풍부한 제조경험 등 다년간 축적한 기술리더십을 바탕으로 파운드리 기술력 제고를 이끌 수 있을 것으로 기대된다"고 설명했다.