이 기사는 2020년 01월 30일 13:37 thebell 에 표출된 기사입니다.

삼성전자 반도체 사업이 업황 악화와 D램 가격 하락의 영향으로 크게 부진했다 .하지만 대규모 투자를 통한 육성에 나선 시스템 반도체 실적은 개선세를 보이면서 선방했다. 올해 5G(5세대) 본격화에 따라 치열한 경쟁이 예상되는 SoC, 고화소 센서 시장에서 다양한 제품으로 대응한다는 방안이다.

30일 삼성전자에 따르면 지난해 반도체 사업 매출액은 전년 대비 24.7% 감소한 64조9400억원으로 크게 부진한 모습을 보였다. 특히 메모리 부문의 경우 50조22000억원으로 30.6%나 빠졌다. 작년 4분기 메모리 매출액은 15% 감소한 13조1800억원에 그쳤다.

비메모리 부문 매출액은 반대로 14조7200억원으로 전년도 보다 5.8% 증가하는 모습을 보였다. 작년 4분기에 보더라도 11.1% 증가한 3조6100억원을 기록해 상승세를 이어갔다.

비메모리 반도체는 크게 시스템LSI와 파운드리 사업으로 구성된다. 시스템LSI 사업에서는 올해 북미 고객사의 플래그십 스마트폰에 탑재될 AP와 이미지 센서, DDI 등 주요 부품 공급을 확대해 실적 개선에 나선다. 5G 시장의 확장에 따른 고화소 센서 채용 확대에 발맞춰 대응할 방침이다. 8나노 컴퓨터칩 양산 본격화와 5G칩 수요 증가로 부진에서 벗어나 매출 증가 기대감이 높다.

파운드리의 경우 작년 4분기 견조한 실적을 거뒀다. 올해 5G 칩 공급 확대를 위한 생산 최적화에 집중한다. EUV 생산성을 더욱 극대화한 5나노에서 고객 응용처를 다변화해 양산을 확대하고, 4나노 설계 완료를 통해서 첨단 공정 기술리더십 이어갈 계획이다. 또 3나노 GAA 공정 개발을 통해 기술 경쟁력도 강화한다.

메모리 반도체는 회복 수순을 밟을 전망이다. 이미 작년 4분기부터 5G 관련 수요를 중심으로 반등 기조가 나타나기 시작했다. 삼성전자는 작년 어려운 상황에서도 서버용 고용량 제품과 그래픽용 GDDR6 등을 출시해 제품 차별화를 꾀했고 수익성도 제고했다.

삼성전자는 올해 메모리 반도체 빗그로스(비트 단위 출하량 증가율) 상승세를 예상했다. D램의 경우 10% 중반대, 낸드는 20% 중반으로 각각 성장할 것이라고 전망했다. 그러면서도 데이터센터 고객사로부터 수요 확대가 관찰되지만 본격적으로 수요 반등 사이클에 진입했다고 하기엔 고려할 요소가 많다고 조심스러운 입장을 견지했다.

상반기 중으로 재고 정상화를 우선적으로 추진한다. 이와 관련 10나노급(1y) D램 등 미세 공정 전환을 확대해 원가 경쟁력을 강화하고 서버용 고용량 제품과 모바일용 LPDDR5 D램 제품 등의 수요에 적극 대응할 방침이다.

삼성전자는 비메모리 반도체 투자를 꾸준히 지속할 방침이다. 지난해 비메모리 반도체 부문에 133조원을 투자해 2030년까지 세계 1위를 차지하겠다고 발표했다. 실제로 지난해 집행한 시설투자는 26조9000억원인데 반도체 사업의 경우 22조6000억원을 차지했다. 비메모리 부문의 투자 규모를 정확하게 공개하지는 않았지만, 메모리 부문에서는 공정 전환에 집중하면서 전년 보다 투자가 줄었다고 설명했다. 반면 비메모리 부문은 파운드리 사업의 경우 극자외선(EUV)rhk 7나노 등 미세 공정 구축을 위한 설비 증설로 투자가 늘었다.

메모리 부문에서 중장기 수요 대응을 위한 인프라 투자를 지속하고, 설비투자는 시황 회복 추이에 맞춰 대응할 방침이다. 비메모리 반도체와 디스플레이, 인공지능(AI), 5G 등 미래 성장 사업의 중장기 경쟁력 강화를 위한 투자는 계획대로 진행할 예정이다. 최근 증권사와 업계에서는 삼성전자가 반도체 사업에 20만장(200K) 규모의 시설 확장 투자를 집행할 것이란 전망을 제시했다. 메모리 부문에서 낸드 플래쉬(NAND Flash) 8만장(80K), D램 5만장(50K), 시스템 LSI의 경우 화성에 2만장(20K) 규모의 투자 전망이 나오고 있다.