이 기사는 2016년 01월 07일 16:42 thebell 에 표출된 기사입니다.

SK그룹의 주력 계열사로 부상하고 있는 SK하이닉스가 최근 거세지고 있는 중국 반도체 업체들의 추격을 따돌리기 위해 올해 연구개발(R&D) 투자를 확대하고, 기술 경쟁력 강화에 역량을 집중한다는 전략을 세웠다.

7일 반도체 업계 및 SK그룹에 따르면 박성욱 SK하이닉스 사장은 올 신년사를 통해 "본원적 기술 경쟁력을 더욱 강화하고 모든 힘을 집중해 더욱 강한 SK하이닉스를 만들어가야 한다"고 강조했다. 안팎에선 박 사장이 주력 제품인 D램과 낸드플래시의 기술 및 원가 경쟁력 강화와 차세대 성장동력 육성에 역량을 집중하겠다는 의지를 드러낸 것으로 해석하고 있다.

SK하이닉스가 '본원적 기술 경쟁력 강화'를 올해 전략 목표로 설정한 것은 메모리 반도체 시장의 경쟁이 점차 심화되고 있어 후발주자와의 기술 격차 확대 없이는 향후 업계 선두기업으로서의 위상과 시장 지위를 지켜내기가 어렵다는 위기감 때문이다.

SK하이닉스를 비롯한 국내 메모리 반도체 업체들은 현재 다양한 악재와 도전에 직면해 있다. 수년째 PC 시장의 침체가 이어지고 있는데다 지난해부터 스마트폰 시장의 성장 정체 현상까지 나타나고 있어, D램과 낸드플래시 가격이 꾸준히 하락세를 나타내고 있다. 이 때문에 주요 반도체 기업들이 올해 예년보다 부진한 경영실적을 기록할 것이란 관측에 힘이 실리고 있다.

게다가 최근 중국 기업들이 반도체 시장 진출에 공격적으로 나서고 있어 시장 전망을 더욱 어둡게 하고 있다. 중국은 '반도체 굴기'를 선언하고 정부 차원에서 천문학적인 자금을 들여 반도체 산업 육성에 나서고 있다. 지난해 10월엔 중국 국영기업인 칭화유니그룹이 최대주주 지위를 확보하고 있는 웨스턴디지털을 통해 글로벌 낸드플래시 시장 3위 업체인 샌디스크를 우회인수하기도 했다.

중국 기업들의 이 같은 공세 탓에 관련 업계에선 조만간 글로벌 메모리반도체 시장에 다시 '치킨게임'이 발생하는 것 아니냐는 우려가 커지고 있는 상황이다.

이에 SK하이닉스는 다가올 위기를 극복하고 향후 더 큰 성장을 이루기 위해서는 무엇보다 '기술 경쟁력 강화'에 승부를 걸어야 한다는 판단을 내렸다. 이 같은 판단에 따라 SK하이닉스는 올해 경영성과가 지난해보다 부진하더라도 R&D 투자 규모는 유지해 공정 미세화와 차세대 메모리 개발 노력을 지속한다는 방침이다.

구체적으로 D램은 20나노 초반급(2Z nm) 제품 생산 비중을 확대해 수익성을 강화하고, 10나노급(1X nm) 제품 개발을 완료해 후발업체와 기술력 차이를 더욱 벌린다는 목표다. D램 가격 하락에 따른 수익성 감소에 대응하기 위해 프리미엄 제품인 DDR4와 LPDDR4 D램 생산과 판매도 늘릴 계획이다.

낸드플래시는 기존 16나노 제품보다 공정을 더욱 미세화한 2D 구조의 14나노 제품 개발과 양산을 통해 경쟁력을 확보할 예정이다. 지난해 36단 제품의 초기 양산에 성공한 3D 낸드플래시는 올해 48단 제품의 본격 양산에 나서 기술 리더십을 이어간다는 계획이다. 특히 수요가 증가하고 있는 3D 낸드플래시는 SSD(Solid State Drive)뿐 아니라 낸드 솔루션 전반으로 확대해 시장 성장에 대응할 방침이다.

미래 성장동력인 차세대메모리와 시스템반도체 분야에도 꾸준한 연구개발 노력을 기울여 후발주자들과의 기술 격차 확대를 꾀할 예정이다. 또 지난해 완공한 이천공장의 M14라인 복층 팹 중 아직 활용하고 있지 않은 1개 층에 대한 클린룸 공사를 올해 시작해 향후 생산능력을 확대할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 "IT산업의 성장 둔화와 중국 업체의 등장으로 메모리반도체 업계의 위기감이 높아지고 있지만, 반도체 산업은 진입장벽이 높아 후발주자들이 단기간에 추격해 오긴 쉽지 않을 것"이라며 "기술력 강화를 통해 경쟁업체들과 격차를 더욱 벌리고, 선도업체로서 위상과 경쟁력을 반드시 지켜낼 것"이라고 강조했다.