이 기사는 2024년 01월 23일 13:44 thebell 에 표출된 기사입니다.

SK하이닉스가 중국 다롄공장에서 생산하는 낸드플래시(이하 낸드) 공정을 CTF(Charge Trap Flash) 기술로 전환하는 방안을 검토 중인 것으로 알려졌. 인텔로부터 인수한 공장으로 본격적인 가동을 위한 활용 방안 모색에 나선 것이다. 그동안 '계륵'으로 전락했던 낸드 사업의 돌파구 마련에 속도를 내는 모양새다.

23일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스는 다롄공장을 지속 운영하기 위해 다양한 방안을 검토 중이다. 그 중 한가지로 CTF 기술 전환을 고려 중이다. 현재 증설 작업중인 2공장에 우선 적용하고 순차적으로 기존 FG(Floating Gate)를 대체하는 방안이다. 다롄공장의 생산 시설을 유지하는 동시에 활용도를 높이겠다는 계획이다.

낸드의 제조 기법은 FG와 CTF로 나뉜다. FG는 전하(Data)를 도체에 저장하는 방식으로 오랫동안 사용돼 왔다. 하지만 낸드가 2D에서 3D로 넘어가며 적층 기술이 중요해졌다. 적층으로 인해 주변 셀의 간섭이 심해지기 때문이다. 이를 개선하기 위해 개발된 기술이 바로 부도체에 전하를 저장해 적층 이동간 간섭이 적은 CTF다.

오래된 기술인 FG의 한계는 분명하다. 하지만 데이터 보존성이 우수하고 기술에 대한 신뢰성이 높다는 장점이 있다. CTF보다 생산 단가도 낮다. 해당 기술을 가장 오랫동안 활용해온 곳이 마이크론이다. 인텔은 마이크론과 조인트벤처(JV)를 설립하며 FG 기술을 채택해왔다. 다롄공장에 FG 기술이 적용된 배경이다.

다롄공장 인수 초기만 하더라도 FG와 CTF를 두고 SK하이닉스 안팎에서 의견이 분분했다. 일각에서 FG로도 고저층까지 적층이 가능하다고 보는가 하면 또 다른 일각에서는 CTF 전환이 더 유리하다는 의견도 나왔다.

하지만 다롄공장 인수 후 반도체 공정 기술 전환이 가속화되고 미·중 분쟁이 격화된 게 변수가 됐다. FG를 당분간 유지해도 되지만 장기적인 관점에서 CTF 전환이 필요하다는 판단을 내린 배경이다. 당초 업계에서도 다롄공장의 CTF 기술 전환 가능성이 꾸준히 제기돼오기도 했다.

최근 몇 년간 낸드 업황의 침체가 이어지면서 SK하이닉스 내부적으로 CTF 전환의 구체적인 시점은 결정하지 못한 것으로 전해졌다. 다만 낸드 가격이 상승하는 등 업황 개선 조짐이 보인다는 점이 긍정적이다. 올 들어 관련 논의가 급물살을 탈 것으로 예상된다.

현재 다롄공장에서 생산하는 낸드는 192단 수준이다. SK하이닉스 전체로 보면 230단의 양산을 확보하고 생산량을 늘려가고 있다. 다롄공장이 이 보조를 맞추기 위해서라도 CTF 전환에 속도를 낼 필요가 있다.

다만 SK하이닉스 관계자는 "생산시설 운영 계획에 대해서는 확인해 줄 수 없다"고 말했다.