이 기사는 2022년 11월 04일 09:26 thebell 에 표출된 기사입니다.

파크시스템스가 반도체 극자외선(EUV) 공정 시 포토마스크에 발생하는 나노미터 크기의 결함 및 파티클을 안전하고 효과적으로 제거할 수 있는 신제품 '파크 NX-마스크(Park NX-Mask)'를 정식 출시했다고 4일 밝혔다.

포토마스크는 유리 기판 위에 반도체 회로 패턴을 형성한 것으로 사진 원판인 필름 역할을 담당하는 반도체 리소그래피 공정의 핵심 부품이다. 포토마스크에 빛을 투과하거나 반사시켜 웨이퍼에 조사하는 방식으로 설계한 반도체 회로를 웨이퍼나 기판에 전사하게 된다.

Park NX-Mask는 EUV 마스크를 위한 듀얼포드를 지원하며 마스크 패턴에 발생한 결함 및 파티클의 형상 측정 및 제거, 제거 후 검증까지 모든 과정을 하나의 솔루션으로 제공한다. Park NX-Mask를 사용하면 반도체 제조사들은 고비용의 EUV 공정에서 생산원가를 낮추고 디바이스 수율을 높일 수 있다.


전자빔이나 레이저를 사용하는 다른 마스크 리페어 기술은 전자빔 또는 레이저빔의 크기를 줄이는 데 한계가 있어 EUV 기술이 사용되는 최첨단 반도체 미세 패턴에는 사용이 점점 어려워지고 있다. Park NX-Mask는 원자현미경 기반의 나노머시닝(Nano-machining) 기술을 통해 마스크 패턴과 결함의 정확한 위치정보 및 형상정보를 정밀하게 파악하고 팁의 정밀 위치제어를 통해 포토마스크 패턴이나 표면에 영향을 주지 않고 결함을 선택적으로 제거할 수 있다.

Park NX-Mask는 공식 출시 이전부터 글로벌 고객사들로부터 8대의 수주를 받으며 시장의 호응을 얻고 있다.

이동춘 파크시스템스 제품마케팅 총괄임원(전무)은 "Park NX-Mask는 EUV 기술을 포함한 차세대 반도체 포토공정의 개발 및 제조 생산성 증대에 크게 기여할 것"이라며 "앞으로도 글로벌 고객사들의 나노계측 및 나노머시닝 분야의 요구에 대해 최적의 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.