이 기사는 2019년 02월 25일 15:46 thebell 에 표출된 기사입니다.

코스닥 상장사 RFHIC가 삼성전자 5G 기지국에 '질화갈륨(갠·이하 GaN) 트랜지스터'를 단독으로 공급하기 위해 샘플을 공급 중이다. RFHIC는 자사가 단독 벤더가 될 가능성이 크다고 보고 있다.

25일 업계에 따르면 RFHIC는 올해 사업 계획에서 ‘삼성전자와의 5G 협업'을 내부적으로 가장 중요한 전략으로 정했다. 5G 관련 투자를 확대하는 삼성전자와 발맞춰 새로운 성장 교두보를 마련하겠다는 목표다. 삼성전자 내 GaN 트랜지스터 납품을 놓고 경쟁할 회사는 국내에 없으며 해외에만 일부 존재한다.

RFHIC는 4G 때까지 GaN전력증폭기와 GaN트랜지스터를 삼성전자 기지국에 단독으로 공급했다. 5G 때는 삼성전자에 GaN트랜지스터를 공급하는 데 주력할 방침이다. 삼성전자는 2014년 즈음부터 RFHIC의 GaN트랜지스터를 구매해 전력증폭기를 자체적으로 제작해오고 있다.

삼성전자는 최근 5G 매시브마이모(massive MIMO) 기술을 적용한 기지국 사업을 저출력에서 고출력으로 확대하는 안을 검토 중인 것으로 알려졌다. RFHIC는 10와트 이상의 고출력 매시브마이모 기지국에서는 GaN의 사용 폭이 확장될 가능성이 크다고 보고 있다.

업계 관계자는 "RFHIC는 삼성전자의 고출력 매시브마이모 적용 기지국에 자사 제품이 적용될 가능성이 크다고 보고 있다"라며 "올해 RFHIC의 사업 계획에서 가장 중요한 부분은 삼성전자 5G 관련 사업에 자사 제품을 적용하는 것"이라고 전했다. 이어 "특히 삼성전자가 RFHIC의 GaN트랜지스터만 단독으로 쓸 수 있게 영업을 진행 중"이라고 덧붙였다.

RFHIC는 올해 통신 부문 매출 가이던스(전망치)를 고객사별로 화웨이 700억원, 삼성전자 300억원, 노키아 100억원 등으로 제시했다. RFHIC는 아직 삼성전자로 향하는 공급 규모가 화웨이에 못 미치지만 삼성전자의 5G 사업 확대 가능성에 주목했다. 삼성전자로 GaN트랜지스터를 단독으로 공급하게 되면 다른 고객사향 매출보다 더 큰 성장이 있을 것으로 내다봤다.

삼성전자는 4G 기지국에 GaN 소재 트랜지스터와 함께 실리콘 기반인 엘디모스(이하 LDMOS)소재 트랜지스터를 함께 사용했다. 5G 투자 초기엔 RFHIC의 GaN 소재 트랜지스터보다 타사의 LDMOS 소재 제품을 먼저 사용했다. 현재도 RFHIC는 삼성전자의 5G 기지국에 GaN트랜지스터를 공급하지 못했다.

업계 관계자는 "삼성전자가 10와트 이상 매시브마이모에 대해서도 LDMOS 사용을 검토할 것으로 보이나 LDMOS의 여러 한계 때문에 GaN을 사용할 수밖에 없을 것"이라고 말했다. 삼성전자가 고출력 매시브마이모 기지국으로 5G 사업을 확장하면 RFHIC에도 큰 기회가 될 것이란 전망이다.

RFHIC 관계자는 "기지국 투자가 확대되면서 미국 등 선진국 시장에서 기술적인 효율을 높이기 위해서 GaN트랜지스터를 쓸 확률이 높다"며 기대를 숨기지 않았다. 이어 "삼성전자 5G 물량이 지금은 많지 않다"며 "하반기로 갈수록 더 규모가 커질 것"이라고 내다봤다.