이 기사는 2019년 04월 15일 16:38 thebell 에 표출된 기사입니다.

통신장비용 반도체 전문기업인 RFHIC는 통신 기지국의 효율을 높이는 무선주파수(RF) 증폭기에 실리콘 대신 '질화칼륨(GaN)'을 국내 최초로 적용한 코스닥 상장 기업이다. 현재 GaN을 적용한 트랜지스터 및 통신용·레이더용 무선주파수(RF) 전력증폭기를 생산하고 있다. 해당 생산 기술을 갖고 있는 곳은 전 세계에서도 2~3개사로 손에 꼽힐 정도다.

GaN 전력증폭기의 시장 잠재력을 먼저 알아본 이는 조덕수 RFHIC 대표의 형 조삼열 회장이다. 1998년 외환위기 당시 조삼열 회장이 운영하던 RF 부품사업이 어려움을 겪자 동생인 조덕수 대표가 다니던 회사를 정리하고 합류했다. 형제는 일반 트랜지스터 시장이 과열됐다고 판단해 고부가가치 사업을 찾아 나섰다. 공학박사였던 조 회장이 먼저 GaN 전력증폭기 생산을 제안했다.

이후 두 형제는 전량 수입 제품에만 의존했던 RF 부품을 국산화하고 세계 최고의 제품을 만들겠다는 일념으로 1999년 8월 RFHIC를 설립했다. 조 회장이 연구개발 분야를 총괄하고 조 대표는 경영 및 회사 전반에 대해 총괄하며 회사를 이끌고 있다.

두 형제는 회사 설립 이후 RF 전력증폭기 연구개발에 집중했다. RF 전력증폭기는 기지국에서 통신 신호를 받아 이를 멀리 증폭시켜 전달하는 역할을 하는 핵심 부품이다. 주로 이통사기지국 등에 쓰이며 최근 대용량의 데이터를 고속으로 전송하는 5G 서비스의 핵심 기술로 꼽히는 '대용량 다중입출력(MIMO)시스템' 구현에 필요하다.

RFHIC 관계자는 "다른 중소 기업과 달리 회사를 책임지는 오너가 두명으로 각자 책임경영에 충실하고 있다"며 "조 회장은 연구개발 부분에서 조 대표는 경영 부문에서 전문성을 살리며 서로 시너지 효과를 냄으로써 회사의 발전을 이끌고 있다"고 말했다.

<경기도 안양시 동안구 관양동에 위치한 RFHIC 전경>

RFHIC는 제품 개발에 착수한 이후 약 10년간 적자를 기록하는 등 힘든 시절을 겪었다. 하지만 조 대표는 포기하지 않고 연구개발에 집중해 2005년 마침내 기술개발에 성공했다. GaN을 RF 전력증폭기와 트랜지스터에 적용했으며 2010년제품 상용화에 성공했다. 당시 세계 시장은 기존 해외 글로벌 업체들이 30년 동안 실리콘 소재의 전력증폭기(LDMOS)로 시장을 차지하고 있었다.

이는 적자에 허덕이던 회사를 다시 한번 재도약 할 수 있도록 하는 계기로 작용했다. RFHIC가 개발한 GaN 전력증폭기는 실리콘 소재가 적용된 기존 RF증폭기보다 전파 전달효율이 10% 이상 높다. 또한 전력사용량은 20%가량 절감할 수 있고 크기는 절반 가량 작아 기지국 소형화가 가능해졌다. 그동안 GaN은 효율이 좋음에도 불구하고 상대적으로 높은 가격으로 인해 쓰이지 못했다. 하지만 RFHIC는 미국 LED 제조기업 크리(Cree)사와 파트너십을 맺고 대량 생산에 성공해 가격 경쟁력을 확보했다.

그 결과 RFHIC는 2008년 12월 삼성전자 기지국에 제품을 첫 공급하며 핵심 파트너로 자리잡았다. 이후 특정업체에 대한 의존도를 낮추고 매출처 다각화를 위해 해외시장 공략에 나섰다. 글로벌 통신장비업체인 화웨이, 노키아, 에랙슨과 거래를 위해 벤더등록을 추진했다. 특히 세계1위 통신장비업체 화웨이와 2014년부터 거래를 트는데 성공하며 빠르게 성장하기 시작했다. 중국 정부가 3G망 대신 4세대 LTE 기지국 설치를 확대하면서 화웨이에 납품하는 공급물량이 크게 늘기 시작했기 때문이다.

최근 화웨이가 GaN 트랜지스터 비중을 80%까지 확대하겠다는 계획을 세워 RFHIC 공급물량은 더욱 늘어날 것으로 전망된다. RFHIC는 주요 글로벌 통신장비 업체들로 고객사를 확대하면서 현재 글로벌 3대 통신장비업체의 핵심 파트너로 자리잡았다. RFHIC 관계자 "올해 통신 사업 부문에 있어서는 기존 고객사인 화웨이, 삼성전자, 노키아 등에 관련 GaN 트랜지스터 공급 물량을 늘리는데 집중할 계획"이라고 말했다.