이 기사는 2025년 03월 11일 15시47분 thebell에 표출된 기사입니다

삼성전자가 차세대 모바일용 D램인 LPW 저전력광폭입출력(Low Power Wide I/O·LPW) D램 시장 선점에 나선다. 이를 위해 애플 등 복수의 고객사들과 LPW D램 개발을 진행 중인 것으로 확인됐다.

LPW D램은 모바일 고대역폭메모리(HBM)로도 불리는 제품이다. 저전력(LP)DDR을 적층해 성능을 대폭 높인 제품이다. 삼성전자에서는 2028년께 양산이 본격화될 것으로 내다봤다.

11일 업계에 따르면 삼성전자는 복수의 시스템온칩(SoC) 고객사와 LPW D램 개발 협력을 진행 중이다. 이 중 '애플'과 삼성전자 모바일경험(MX) 사업부문이 포함된 것으로 확인됐다.


경쟁사 대비 개발 속도가 빠른 만큼 LPW D램 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준화 작업도 주도하고 있는 것으로 전해진다. 이를 통해 자사에게 유리한 스펙을 채택할 수 있을 것으로 보인다.

LPW D램은 삼성전자, SK하이닉스 등 기업들이 모바일 응용처를 타깃으로 개발 중인 제품군이다. 복수의 LPDDR D램을 적층하는 것이 특징으로 업계에서는 모바일 HBM이라고 부르기도 한다. 다만 HBM과는 달리 로직 역할을 담당하는 베이스다이는 활용하지 않는다.

삼성전자가 최근 공개한 데이터시트에 따르면 LPW D램의 입출력 속도는 초당 204.8GB다. 전력 소모는 1.87피코줄(pJ)에 불과하다. LPDDR5X와 비교해 대폭 개선된 수치다.

메모리 기업들이 LPW D램 개발에 나선 것은 온디바이스 AI의 보급 확대 때문이다. 서버에 이어 모바일 영역에서도 메모리 병목 현상이 일어날 것으로 전망되는 만큼 선제적으로 고성능 D램을 내놓겠다는 계획이다.

이에 따라 입출력(I/O)이 512개로 대폭 늘어난다. 기존 대비 8배 증가한 수치다. 양사는 LPDDR D램을 계단 형태로 적층한 뒤, LPDDR D램과 기판을 연결한다는 방침이다. 이를 통해 I/O를 대폭 늘릴 수 있다. 삼성전자는 이 기술을 버티컬 와이어 본딩(VWB) 패키징 기술이라고 부른다.

SK하이닉스에서는 LPW D램을 '버티컬 팬아웃(VFO)'이라고 부른다. 양사의 공정 방식은 LPDDR D램 적층까지는 유사한 것으로 파악됐다. 다만 패키징 시 구리 기둥 형성에서 차이를 보이고 있다. SK하이닉스는 구리 기둥을 연결한 뒤 에폭시를 채우고, 삼성전자는 에폭시를 채운 뒤 구리 기둥을 형성하는 방식이다.

업계에서는 LPW D램도 HBM처럼 커스터마이징 경향이 강해질 것으로 전망하고 있다. 모바일 애플리케이션프로세서(AP)과 함께 시스템인패키지(SiP) 형태로 공급될 예정이라서다. 애플을 비롯한 복수의 고객사들이 삼성전자와 LPW D램을 선제적으로 개발하고 있는 것도 이같은 이유에서다.

메모리 업계 관계자는 "온디바이스 AI의 등장으로 대형 모바일 고객사들이 LPW D램과 같은 고성능 모바일 D램을 요구하고 있다"며 "초기에는 JEDEC 규격의 제품이 공급될 것으로 보이지만, 향후에는 I/O를 높이거나 용량을 높인 LPW D램이 개발될 것"이라고 말했다.