이 기사는 2024년 10월 11일 19시40분 thebell에 표출된 기사입니다

8인치 파운드리 기업 DB하이텍이 2500억원을 투자해 음성팹 클린룸을 확장한다. DB하이텍은 이 공간에서 BCDMOS(바이폴라-CMOS-DMOS) 반도체와 탄화규소(SiC) 반도체, 질화갈륨(GaN) 반도체를 양산할 예정이다.

DB하이텍은 11일 공시를 통해 2500억원을 투자해 'Fab 클린룸 확장 및 유틸리티 공사'를 진행한다고 밝혔다. 이번 클린룸 확장 투자는 충북 음성군에 위치한 Fab2(상우공장) 유휴공간에서 진행된다. 투자기간은 11일부터 2027년 10월 31일이다.

DB하이텍은 다음달부터 기본 설계를 시작해 내장 공사와 전기, 공조 등 각종 유틸리티 공사를 거쳐 내년 말경 완료한다는 계획이다. 회사는 2026년부터는 생산장비를 투입해 신규 클린룸에서 양산이 가능할 것이라고 설명했다.

DB하이텍 관계자는 "신규 클린룸이 조성되면 월 8인치 웨이퍼 3만5000장 규모 수요에 대응할 수 있는 인프라를 갖추게 되는 것"이라며 "현재 월 15만4000장 규모 대비 23% 증가한 19만장의 생산능력을 확보할 수 있다"고 말했다. 이어 "생산 규모는 수요에 따라 순차적으로 투자할 것"이라고 덧붙였다.

DB하이텍은 이 공간에서 BCDMOS 반도체와 화합물(SiC, GaN) 반도체를 양산할 예정이다. BCDMOS 반도체는 DB하이텍의 주력 생산 제품이다. 아날로그소자(바이폴라)와 로직소자(CMOS), 고전압소자(DMOS)를 하나의 칩에 구현한 제품으로 전력반도체로 활용된다.

SiC 반도체와 GaN 반도체는 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 소자다. 실리콘(Si) 반도체 대비 높은 물리화학적 특성을 지녔다. SiC 반도체는 전기차, 에너지 인프라 등 응용처에 활용되며, GaN 반도체는 무선충전, 통신기기, DC-DC 컨버터에 쓰인다.

DB하이텍은 신규 팹에서 먼저 BCDMOS 반도체를 양산할 예정이다. 이후 양산 투자를 통해 화합물 반도체를 양산한다는 계획이다. DB하이텍은 지난 8월 발표한 '기업가지 제고 계획'을 통해 GaN 반도체 양산을 위해 4000억원, SiC 반도체 양산을 위해 2000억원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다.