이 기사는 2021년 11월 24일 14시56분 thebell에 표출된 기사입니다

삼성전자가 약 20조원을 투입해 미국 테일러시에 파운드리(반도체 위탁생산) 제2공장을 짓는다. 파운드리 발주처가 밀집한 미국에 대한 투자를 확대해 '2030년 시스템반도체 1위' 목표에 다가가겠다는 계획이다.

테일러 파운드리는 삼성전자에 여러가지 유의미한 효과를 가져온다. TSMC에 기술적 우위를 점할 양산 시설을 확보하고 미국 내 유력 팹리스(반도체 설계전문)들의 수요에 대응하는 효과가 있다.

무엇보다 미국의 중국 견제가 강화되는 가운데 삼성전자는 실익을 극대화하는 부수적인 효과도 있다. 삼성의 대중국 투자는 이미 일단락된 상태다. 테일러시 파운드리 투자로 미국의 정책 기조에 동참하면서 미국과 중국에서 모두 실익을 거둘 수 있다.

24일 삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 신규 파운드리 생산라인을 건설한다고 발표했다. 새 공장은 상반기 착공해 2024년 하반기 가동될 예정이다. 예상 투자규모는 170억 달러로 역대 미국 투자 중 최대다.

이로써 삼성전자의 해외 반도체 생산기지는 세 곳으로 늘게 됐다. 삼성은 지금까지 미국 오스틴생산법인(SAS, Samsung Austin Semiconductor)과 중국 시안생산법인 SCS(Samsung China Semiconductor)에서 각각 파운드리와 낸드플래시를 생산해왔다. 두 곳의 탄탄한 해외 생산거점을 기반으로 오늘날 메모리반도체 세계 1위, 파운드리 2위 자리에 오를 수 있었다.

삼성전자가 외형을 더욱 키우기 위해선 전체 반도체 시장의 65%인 시스템 반도체 부문에서 성과를 내는 게 중요한 과제로 지적돼 왔다. 삼성전자는 2030년까지 현재 파운드리 1위인 대만 TSMC를 제치고 1위로 올라선다는 목표를 세웠다. 이른바 '시스템반도체 비전 2030'의 골자다.

삼성전자가 TSMC를 따라잡기 위해선 캐파(CAPA)를 확대하는 것뿐만 아니라 미세공정 기술력에서 먼저 확실한 우위를 확보해야 한다. 이를 위해 삼성전자는 내년 상반기에 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정을 도입한다는 계획이다. 내년 하반기에나 3나노 양산에 나설 것으로 예상되는 TSMC보다 수개월이나 앞선 것이다.

글로벌 반도체 시장에서 10나노 이하 미세공정으로 만든 반도체가 필요한 회사는 현재 애플, 퀄컴, 엔비디아, AMD, 구글 등으로 미국에 밀집해 있다.

테일러시 새 공장에는 5나노 이하 또는 3나노 이하의 초미세 공정을 위한 시설이 들어설 예정이다. 최첨단 파운드리 라인을 추가로 확보한다는 건 AMD와 퀄컴 등의 수주를 확대할 기회가 생겼다는 의미다. AMD나 퀄컴 등은 TSMC의 애플 우대 정책에 불만이 쌓인 것으로 알려져 있다. 이들이 삼성전자 3나노 공정의 첫 고객이 될 것으로 업계는 보고 있다.

이번 투자로 삼성전자는 미국의 중국 견제 움직임에 동참하게 됐다. 반도체 최대 매출처인 중국 눈치를 볼 수밖에 없지만, 중국 시안 낸드 2공장이 이제 막 완공한 상태라 당분간 큰 투자가 필요하진 않다. 자연스럽게 파운드리 확장을 기치로 미국과 동맹관계를 다질 수 있다.

중국에선 낸드 생산을 확대하면서도 첨단 공정의 비메모리 공정을 미국에서 가동, 미국과 중국 내 수요에 모두 대응하는 효과를 누릴 수 있다. 다만 미국 정부가 반도체 장비의 중국 반입 금지 정책을 점점 강화하고 있어 중장기적으론 중국 내 공정 미세화엔 어려움이 있을 수 있다.