이 기사는 2024년 12월 26일 09시53분 thebell에 표출된 기사입니다

삼성전자가 10nm 7세대 D램(1d D램)에 이어 10nm 8세대 D램(1e D램) 개발에 선제적으로 나섰다. SK하이닉스 등 경쟁사에 뺏긴 기술 리더십을 되찾기 위해서다.

1e D램은 2028년 이후 상용화될 것으로 예상되는 차세대 D램이다. 4F스퀘어 버티컬 채널 트랜지스터(VCT) D램이나 3D D램과 달리 구조적 변경이 없어 대규모 시설투자(CAPEX)가 없어도 된다는 장점이 있다.

26일 업계에 따르면 삼성전자가 1e D램 등 차세대 반도체 개발을 준비 중이다. 삼성전자의 D램 개발 로드맵 등을 고려하면 10nm 극초반 D램이 될 것으로 예상된다. 현재 삼성전자가 양산 중인 최선단 D램인 10nm 5세대 D램(1b D램)의 회로 선폭은 12.54nm 수준이다.

다만 1e D램 양산이 확정된 것은 아니다. 삼성전자는 차세대 D램 시장에 대응하기 위해 4F스퀘어 VCT D램, 3D D램을 개발 중이다. 1e D램도 이 중 하나다. 삼성전자는 다양한 제품을 선제 개발해 시장 수요에 맞는 제품을 적기 공급한다는 계획이다.

업계에서는 삼성전자의 제품 개발 기조가 바뀌었다고 보고 있다. 불확실한 수익성을 이유로 2019년 고대역폭메모리(HBM) 개발팀을 축소한 전략적 실책을 다시 반복하지 않기 위한 목적으로 풀이된다.

삼성전자에 밝은 관계자는 "전 부회장 부임 전 삼성전자는 선택과 집중이라는 미명 하에 주력 제품 외 기술 개발은 등한시하는 분위기가 있었다"며 "최근에는 이런 분위기가 많이 사라졌고 기술 개발을 적극 장려하는 분위기"라고 설명했다.

삼성전자가 1d D램 이후 1e D램을 도입하면 CAPEX나 생산 비용도 크게 줄일 수 있을 것으로 기대된다. 현재 가장 유력한 개발 방향인 VCT D램은 기존 D램과 구조가 달라 대규모 장비 교체가 필수적이다. 또 VCT D램의 경우 기존 D램과 달리 웨이퍼 두 장(코어·페리 웨이퍼, 셀 웨이퍼)을 적층하는 방식으로 제품을 생산하는 만큼 생산 비용도 크게 증가할 수밖에 없다.

다만 미세 선폭 구현을 위한 패터닝 기술 등은 선결 과제다. 삼성전자는 이를 위해 ASML의 하이-개구수(NA) 극자외선(EUV) 장비를 도입한다는 계획이다. 하이-NA EUV 장비는 기존 EUV 장비 대비 NA를 0.33에서 0.55로 늘린 것이 특징이다. NA는 NA 확대를 통해 더 미세한 회로를 그릴 수 있다. 삼성전자는 내년 중 차세대 R&D 기지인 NRD-K에 ASML의 하이 NA-EUV 장비 반입을 계획하고 있다.

삼성전자가 1e D램을 양산하게 되면, VCT D램 양산은 2020년대 후반으로 미뤄질 것으로 예상된다. 당초 삼성전자는 2027년 10nm 미만 대 VCT D램 양산을 계획하고 있었다.