이 기사는 2025년 04월 01일 16시25분 thebell에 표출된 기사입니다

삼성전자가 평택캠퍼스 증설을 다소 늦춘다. 1분기 반도체 사업 적자 가능성이 제기될 정도로 상황이 여의치 않은 영향이다. 올 상반기까지 극적인 변화가 이뤄지지 않는다면 전반적인 일정이 더 밀릴 수 있다는 관측이 나온다.

1일 업계에 따르면 삼성전자는 평택 4공장(P4) 완공 시점을 재차 연기했다. P4는 4개 구역(페이즈)으로 나뉘는데 △페이즈1(하부 서쪽) △페이즈2(하부 동쪽) △페이즈3(상부 서쪽) △페이즈4(상부 동쪽) 등이다.

페이즈1은 연초에서 연말로 마감공사 기한이 변경됐다. 전날(3월31일) 삼성물산은 이같은 내용을 공시했다. 당초 페이즈1에는 낸드플래시 라인(P4F)을 마련할 계획이었다.


다만 지난해 낸드 가격이 급락하는 등 수익성이 하락하면서 변수가 생겼다. 이와 달리 D램은 고대역폭 메모리(HBM), 데이터센터 수요 증가가 발생했다. 이에 따라 삼성전자는 페이즈1을 낸드와 D램 모두 양산하는 하이브리드 라인(P4H)으로 구축하기로 했다.

다음으로 마무리될 곳은 페이즈1 윗부분인 페이즈3다. 이곳에서는 삼성전자가 6세대 HBM(HBM4)용으로 활용할 10나노급 6세대(1c) D램 등이 제조될 것으로 전해진다.

문제는 1c D램 개발 및 양산이 예상보다 늦어질 수 있는 점이다. 앞서 삼성전자는 1c D램을 재설계했다. 건물로 치면 기반 공사를 다시 한 셈이다. 결과적으로 로드맵 조정이 불가피해졌고 페이즈3 연내 마무리도 장담할 수 없게 됐다.

일련의 과정으로 페이즈2(파운드리), 페이즈4(메모리)는 착공 자체가 내년으로 이연됐다. 메모리와 시스템반도체 시장 분위기에 따라 라인 구성에 변화가 생길 수도 있다. 기존에는 각각 올 5월과 9월에 작업 개시할 예정이었다는 후문이다.

상황이 이렇게 흐르면서 5공장(P5)은 지연이 유력해졌다. 현시점에서는 잠정 중단 상태다. 내후년 본격적인 공사에 들어갈 것으로 추정된다. 업황 개선 여부가 관건이다.

삼성전자는 미국 텍사스주 테일러시에 파운드리 라인도 짓고 있다. 이 역시 처음 세운 목표보다는 준공이 미뤄지고 있다. 트럼프 행정부 출범 이후 보조금 재협상, 반도체 관세 등 이슈가 맞물리면서 테일러팹 운영 방안도 재수립해야 할 가능성이 제기된다.

반도체 업계 관계자는 "지금 같은 흐름이면 삼성전자, SK하이닉스 등이 미국에서 메모리를 양산해야 할 수도 있다"면서 "워낙 불확실성이 고조된 상황이라 삼성전자도 투자 계획에 대한 고민이 클 것"이라고 분석했다.

설상가상으로 삼성전자는 올 1분기 디바이스솔루션(DS)부문이 적자를 기록할 수 있다는 우려가 나온다.

금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 이 기간 삼성전자의 영업이익은 5조원 내외로 전년 동기(6조6000억원) 대비 1조원 이상 축소될 것으로 추산된다. 메모리 가격 둔화, 파운드리 고객 유치 난항 등이 주요인으로 꼽힌다.

DS부문으로 한정하면 메모리사업부가 2조원 이상 수익을 내겠으나 시스템LSI사업부와 파운드리사업부가 부진하면서 종합적으로 약 4000억원의 영업손실이 발생할 것으로 증권가는 예측한다.