이 기사는 2025년 04월 29일 14시41분 thebell에 표출된 기사입니다

삼성전자가 최근 차세대 메모리 솔루션인 CXL 메모리 모듈(CMM)-하이브리드(H) 프로토 타입을 제작했다. 기존 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 솔루션인 CMM-D와 달리 낸드가 함께 탑재된 제품이다.

삼성전자는 D램의 속도, 낸드의 저장 용량 등을 합친 솔루션인 CMM-H를 통해 메모리 계층구조 한계 돌파는 물론 데이터센터 운영 비용을 낮춘다는 계획이다. 양산은 2027년 목표하고 있다.

29일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 프로그래머블반도체(FPGA)를 컨트롤러를 활용한 CMM-H 프토로타입을 만들었다. CMM-H는 D램과 낸드를 동시에 탑재한 CXL 솔루션이다. 프로토 타입에는 AMD의 버설 FPGA와 삼성 1TB 트리플레벨셀(TLC) 낸드, 16GB DDR4가 활용됐다.


CXL은 PCIe 기반으로 만들어진 차세대 인터페이스 표준이다. 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), SSD, D램 등을 연결하는 데 쓰인다. 업계에서 CXL 기술에 주목하고 있는 이유는 메모리 확장성을 극대화할 수 있어서다. 기존 D램은 메모리 슬롯만 활용할 수 있었다면 CXL D램은 PCIe 등 슬롯도 사용해 메모리 용량을 10배 이상 확장할 수 있다.

현재 상용화된 제품은 CXL 2.0을 지원하는 CMM-D다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 기업은 양산을 위한 준비를 마쳤으나 클라우드 서비스 공급자(CSP) 등 고객의 수요가 저조한 것으로 전해진다.

삼성전자의 CMM-H는 D램을 캐시로 낸드를 스토리지로 활용하는 콘셉트다. 이를 통해 xPU(CPU, GPU, NPU)와 D램, 낸드 간 데이터 경로를 간소화하고, xPU 활용도와 시스템 성능을 향상시킬 수 있을 것으로 내다봤다. 또 CXL 3.0을 지원할 예정이다.

다만 단일 D램과 비교 시 데이터 처리 속도는 다소 떨어지는 것으로 전해진다. 이에 따라 삼성전자는 CMM-H를 메인 메모리가 아닌 보조 메모리로 함께 활용할 것을 권장하고 있다.

삼성전자는 "CMM-H는 D램을 대체하기 위한 제품이 아니다"라며 "총소유비용(TCO)을 절감하기 위한 메모리 확장 솔루션 관점에서 접근해야한다"고 설명했다. 이어 "CMM-H는 기존 SSD와 비용이 비슷하고 D램 대비 10배 이상 효율적"이라고 강조했다.

삼성전자는 이러한 특성을 이용해 정전 시에도 데이터를 액세스할 수 있는 CMM-H PM(Persistent Memory)를 제품화 중이다. CMM-H PM은 내부 전원을 탑재한 제품이다. 정전 시 데이터가 CMM-H 내 낸드에 저장된다.

업계에서는 CXL 시장이 2026년 이후 본격 개화할 것으로 전망하고 있다. CXL 3.0부터 지원하는 '패브릭 기능' 때문이다. 패브릭 기능을 활용하면 1개의 중앙처리장치(CPU)에 최대 4096개의 CXL 장치 연결이 가능하다. 이를 통해 데이터 병목 현상을 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

시장조사업체에서도 CXL 시장이 빠르게 성장할 것이라고 전망하고 있다. 욜은 글로벌 CXL 시장 규모가 2023년 1400만달러(203억원)에서 2028년 160억달러(23조2032억원)로 성장할 것이라고 내다봤다.