이 기사는 2025년 05월 13일 13시31분 thebell에 표출된 기사입니다

삼성전자가 D램 산업에서 파운드리 경향이 심화될 것으로 내다봤다. 주요 고객들의 커스터마이제이션(맞춤형) 요구가 고대역폭메모리(HBM)에 이어 D램 영역에까지 확대되고 있어서다.

다만 초기 D램의 커스텀화는 HBM에 한정될 예정이다. 또 이와 관련해 복수의 고객들과 관련 논의를 진행 중인 것으로 확인됐다. 삼성전자는 커스텀 HBM 수요에 대응하기 위해 다양한 패키지 형태의 HBM을 개발 중이다. xPU(CPU, GPU, NPU)에 HBM을 쌓는 3D HBM부터 하나의 로직 다이에 두 개 이상의 HBM을 탑재하는 구조 등이다. 이 형태의 커스텀 HBM은 HBM4에서 상용화될 것으로 보인다.

손교민(사진) 삼성전자 메모리사업부 D램설계팀 마스터는 13일 서울 강남구 그랜드파르나스서울에서 열린 '제10회인공지능반도체포럼 조찬강연회'에서 "예전에는 매스 프로덕션에서 물량이 확보되지 않으면 관련 제품을 개발하지 않았었다"며 "최근에는 환경이 바꼈는데 많은 고객들과 (맞춤형 HBM)을 개발 중"이라고 말했다.


손 마스터는 이러한 현상을 'D램의 파운드리화'라고 진단했다. 커머디티에 가까웠던 D램 산업이 고부가 제품군인 HBM을 중심으로 고객 맞춤형 사업으로 전환되고 있다는 설명이다. 다만 초기 커스텀 HBM은 로직다이에 메모리 컨트롤러 등 일부 설계자산(IP)이 탑재되는 형태에 불과하다. 본격적인 커스텀 HBM 시장은 HBM4E부터 개화할 예정이다.

업계에서는 삼성전자가 맞춤형 HBM 시장에서 경쟁사 대비 선전할 것으로 예상하고 있다. 자체 파운드리를 통해 로직 공정부터 어드밴스드 패키징 등 기술을 내재화했기 때문이다. 반면 SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사는 로직 다이 생산부터 패키지 등 과정을 TSMC 등 기업에 맡겨야 하는 상황이다.

반도체 업계 관계자는 "선단 파운드리 기술이 없는 SK하이닉스 입장에서는 TSMC 의존도가 더욱 높아질 수밖에 없는 상황"이라며 "이에 반해 삼성전자는 메모리 기업 중 유일하게 HBM 생산부터 패키지 등 전 과정을 직접 처리할 수 있는 기업"이라고 했다.

또 손 마스터는 로직 다이뿐 아니라 D램 다이에서도 고객의 맞춤형 수요가 증가하고 있다고 밝혔다. 그는 "(로직뿐 아니라 D램에서도 맞춤형 요구가 있는데) D램 다이를 고객이 원하는 대로 만들거나 D램 다이의 코어만 활용하고 나머지는 고객이 만드는 형태는 시간이 훨씬 더 필요할 것"이라고 언급했다.

이날 손 마스터는 10nm 7세대 D램(1d D램) 이후 양산 예정인 버티컬 채널 트랜지스터(VCT) D램에 웨이퍼 본딩 기술이 적용될 것이라고 전망했다. 그는 "(D램에서도) 본딩브이낸드(BV낸드)처럼 페리(Peri) 다이와 셀(Cell) 다이를 (각각 생산하는) 검토를 하고 있는 것으로 알고 있다"고 설명했다.

BV낸드는 삼성전자가 차세대 낸드(V10)부터 적용을 준비 중인 구조다. 페리 웨이퍼와 셀 웨이퍼를 각각 만든 뒤 웨이퍼 본딩으로 연결해 하나의 반도체로 만드는 콘셉트다. 이러한 구조를 D램에도 적용될 수 있다는 이야기다.