이 기사는 2016년 10월 25일 11:55 thebell 에 표출된 기사입니다.

SK하이닉스가 D램 사업부문에서 20나노 초반급(2z) 제품 비중이 3분기 말 20%를 넘어서 수익성이 크게 개선됐다고 밝혔다. 연말까지는 40%를 넘겨 더 큰 폭의 원가절감을 실현한다는 계획이다.

SK하이닉스는 25일 3분기 경영실적을 발표한 후 김준호 경영지원부문장(사장) 주관으로 컨퍼런스콜을 진행했다. 김 사장은 이 자리에서 "2z 제품 비중이 3분기 말 기준 20%를 넘겼고, 4분기 말에는 40%를 초과하는 것이 목표"라며 "원가절감에 이 같은 하이테크 기술이 크게 기여한다"고 말했다.

SK하이닉스는 메모리 반도체 수요 둔화와 중국의 반도체 시장 진입 등으로 인한 위기상황을 극복하기 위해 연간 6조 규모의 선제투자를 단행하고 있다. 수요가 늘고 있는 낸드플래시 부문은 차세대 제품(3D낸드플레시) 개발과 생산량 확대를 도모하고, 시장 포화상태인 D램 부문은 2z 및 10나노(1x) 등 기술개발을 통해 원가경쟁력을 강화하는 것이 진행 중인 투자의 골자다.

이 같은 노력이 가시적인 성과로 이어지고 있는 모습이다. 이날 SK하이닉스는 전기 대비 수익성이 크게 개선된 실적을 발표했다. 3분기 매출은 4조2436억 원, 영업이익은 7260억 원이다. 매출은 2분기 대비 8%, 영업이익은 60% 증가한 수치다.

4분기는 2z 제품의 비중확대와 더불어 수율 개선도 기대된다는 설명이다. 때문에 이익 개선폭이 3분기보다 4분기가 더 클 수 있다. 김 사장은 "4분기 수율개선 폭이 3분기 대비 훨씬 크기 때문에 더 큰 원가절감을 기대하고 있다"며 "내년 상반기에는 거의 목표 수율에 도달할 것"이라고 말했다.

위축됐던 D램 부문의 수요도 3분기 크게 개선됐다. 3분기 D램 출하량은 PC 제조업체들의 재고 축적 수요와 중국 스마트폰 업체들의 모바일 신제품 출시에 따른 D램 고용량화 추세로 전 분기 대비 8% 증가했다.

김 사장은 "3분기 모바일 D램은 중국 스마트폰 업체들 중심으로 고가폰 츨시를 대비한 공격적인 제고 축적이 진행되며 수요가 개선됐다"며 "중국 업체와 기존 업체와의 경쟁격화로 인한 D램 고용량화도 수요를 높이는 요인"이라고 말했다. 그는 이어 "이 같은 시장분위기는 4분기에도 이어질 것으로 예상 된다"며 "공급측면에서는 공정전환으로 인해 재고 수준이 많이 낮아지겠지만, 수요 개선으로 인해 가격상승은 확산될 것으로 전망한다"고 덧붙였다.

적자를 내왔던 낸드플레시 부문 역시 3분기에는 흑자전환에 성공하며 수익성 개선에 일조했다. 김 사장은 "낸드 실적은 2분기까지는 적자였으나 3분기 ASP 증가와 원가절감에 힘입어 약간의 흑자를 달성했다"며 "4분기 ASP도 3분기 대비 증가할 걸로 예상한다"고 말했다.

SK하이닉스는 2분기부터 생산을 시작한 2D 구조의 14나노 낸드플레시 제품 비중은 지속적으로 확대해 나간다는 계획이다. 현재 제품 개발 및 인증 작업을 진행 중에 있는 48단 3D 제품은 연내 판매를 목표로 하고 있다. 내년 상반기에는 72단 제품 개발을 완료해 하반기부터 본격 양산을 시작할 계획이다.

김 사장은 "SK하이닉스 48단 3D 낸드플레시 제품은 256GB TLC(Triple Level Cell)제품"이라며 "연내 고객 인증이 완료돼 4분기 매출에도 집계될 수 있을 것으로 예상한다"고 말했다.