이 기사는 2025년 02월 19일 10시23분 thebell에 표출된 기사입니다

전자재료 기업 동진쎄미켐이 반도체 노광 공정 핵심 소재 금속산화물레지스트(MOR) 상용화를 준비 중이다. 이를 위해 올해 내 삼성전자와 SK하이닉스 등 기업에게 샘플을 공급한다는 계획이다.

MOR은 차세대 포토레지스트(PR) 중 하나다. 기존 화학증폭형레지스트(CAR) 대비 해상력이 높고, 식각 저항이 우수하다. 삼성전자, SK하이닉스 등 기업들은 10nm급 6세대(1c) D램부터 MOR 적용을 준비 중이다.

19일 동진쎄미켐 고위관계자는 서울 강남구 코엑스에서 열린 세미콘코리아 2025에서 기자와 만나 "MOR 개발을 진행 중"이라며 "올해 중 삼성전자와 SK하이닉스에 샘플을 공급할 예정"이라고 말했다. 이어 "샘플 테스트 등 일정을 고려하면 양산하는 데까지 시간은 다소 걸릴 것"이라고 부연했다.

동진쎄미켐은 국내 대표적인 PR 기업이다. 삼성전자에 D램용 EUV PR과 두꺼운(Thick) 불화크립톤(KrF) PR을 공급 중이다. 동진쎄미켐이 삼성전자에 공급 중인 EUV PR은 네거티브 PR로 삼성전자 10nm급 4세대(1a) D램에 적용되는 것으로 전해진다. 두꺼운 PR은 삼성전자 낸드 양산에 쓰이고 있다.

PR은 반도체 노광 공정에 사용되는 핵심 소재 중 하나다. 빛에 반응해 화학적 변화를 일으키는 감광액의 일종이다. 반도체 공정에서는 PR의 이러한 특성을 활용해 반도체 회로 패턴을 새기는 사용하고 있다. 현재 대부분의 노광 공정에는 CAR 타입의 EUV PR, 불화아르곤(ArF) PR, 불화크립톤(KrF) PR이 쓰인다. MOR은 이중 EUV PR을 대체하는 소재다. 현재 MOR 시장은 일본 JSR의 자회사 인프리아(Inpria)가 장악하고 있다.

삼성전자, SK하이닉스 등 기업이 무기물 기반 PR 적용을 준비 중인 이유는 CAR 기반 PR의 해상력, 식각 저항, 패턴 거칠기(LER) 한계 때문이다. MOR 선두 주자인 인프리아의 극자외선(EUV)용 MOR 식각 저항은 1 대 10 수준인 것으로 알려졌다. CAR 대비 3배 이상 높은 수치다. 현재 EUV 공정에 사용되는 EUV PR의 식각 저항은 1 대 3이다.

동진쎄미켐은 먼저 D램용 MOR을 상용화한다는 방침이다. 회사는 삼성전자와 SK하이닉스의 1c D램 램프업 시점에 맞춰 MOR 공급을 목표하고 있다. 삼성전자는 올해 하반기, SK하이닉스는 4분기께 1c D램 양산을 준비 중이다.

SK하이닉스는 지난 1월 1c DDR5의 양산 인증을 마쳤으나 대량 양산에는 들어가지 않은 상태다. 업계에서는 SK하이닉스가 오는 11월 1c D램 본격 양산에 들어갈 것으로 보고 있다. 이외에도 삼성SDI 등 기업이 MOR 개발을 추진 중이다. 삼성SDI는 삼성전자에 여러 차례 MOR 샘플을 전달한 것으로 확인됐다.

동진쎄미켐은 이와 함께 비메모리용 MOR 시장 진출도 계획하고 있다. 통상적으로 메모리보다 비메모리용 PR 개발 난이도가 높은 것을 고려하면 비메모리용 MOR 개발은 상용화는 내년 이후에나 가능할 것으로 예상된다.