이 기사는 2024년 12월 10일 15:56 thebell 에 표출된 기사입니다.

SK하이닉스가 팹(FAB)장을 대거 교체했다. 이천 팹장은 기술통인 김춘환 부사장이 맡게 됐다. 10nm 6세대 D램(1c D램) 등 전환 투자를 진두지휘할 것으로 보인다.

1970년대생 팹장이 선임된 것도 눈에 띈다. 1972년생 최명섭 부사장이 그 주인공이다. 업계에서는 이번 팹장 교체에 대해 미래 경영진 육성을 위한 선제적 인사라고 평가하고 있다.

10일 업계에 따르면 SK하이닉스가 지난 5일 이천 팹장에 김 부사장(사진)을, 청주 팹장에 최 부사장을 선임했다. 또 우시 팹장에 이강민 부사장을 배치했다. 팹장은 팹 운영 전반을 관리하는 직책이다. SK하이닉스 내 사장 승진코스로 꼽히기도 한다.


현재 대표를 맡고 있는 곽노정 사장도 청주 팹장을 거쳤다. 곽 사장은 청주 팹장 역임 이후, 2019년 말 제조·기술부문 부사장에 올랐고, 2021년 말에는 사장으로 승진하며 안전개발제조총괄 조직을 맡게 됐다. 2022년 3월에는 대표이사로 선임됐다.

SK하이닉스의 파운드리 자회사 SK하이닉스시스템IC의 이상화 대표도 SK하이닉스 우시법인 팹장을 역임했다. 2022년 말부터 SK하이닉스시스템IC 대표를 맡고 있다.

이번 인사를 통해 이천 팹장을 맡게 된 김춘환 부사장은 1992년 SK하이닉스에 입사해 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끌었다. 특히 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 실리콘관통전극(TSV) 요소기술 개발에 기여했다. 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며 HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

김 부사장은 D램 R&D에도 기여했다. 그는 10nm 5세대 D램(1b D램) 미세 공정에 극자외선(EUV) 노광 장비를 도입해 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 1c D램에도 확대 적용했다.

또 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 김 부사장은 지난달 열린 2024 산업기술 R&D 종합대전에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받기도 했다.

업계에서는 김 부사장이 이천 팹 1c D램 전환 투자를 지휘할 것으로 보고 있다. 미래기술연구원에서 R&D공정을 담당한 만큼 1c D램과 HBM에 대한 이해도가 높기 때문이다. SK하이닉스는 지난 8월 세계 최초로 1c DDR5를 개발했다고 밝힌 바 있다. 본격적인 1c D램 양산은 내년부터 시작될 것으로 추정된다.

1972년생인 최 부사장의 팹장 선임도 주목할만하다. 그는 청주 팹장을 맡는다. 최 부사장은 지난 2019년 부사장으로 승진한 뒤 제조·기술 담당임원을 거쳤다.

SK하이닉스 정통한 한 관계자는 "팹장은 SK하이닉스의 핵심 요직 중 하나"라며 "대표적으로 곽노정 사장이 청주 팹장을 맡은 뒤, 제조·기술담당을 역임한 뒤 사장으로 승진했다"고 말했다.

이외에도 이번 인사를 통해 부사장으로 승진한 최상균, 최진택 담당은 각각 설비기술, ETCH제조기술을 담당하게 됐다. 또 황경호 부사장도 C&C제조기술을 맡는다.